专利名称：用于形成n-型氧化物半导体膜的涂布液、n-型氧化
物半导体膜制造方法和场效应晶体管制造方法
专利类型：发明专利
发明人：植田尚之,中村有希,安部由希子,松本真二,曾根雄司,
早乙女辽一,新江定宪,草柳岭秀
申请号：CN201680053386.X申请日：20160909公开号：CN108028270A公开日：20180511
摘要：用于形成n‑型氧化物半导体膜的涂布液，所述涂布液包括：A组元素，其为选自如下的至少一种：Sc、Y、Ln、B、Al、和Ga；B组元素，其为如下的至少一种：In和Tl；C组元素，其为选自如下的至少一种：第4族元素、第5族元素、第6族元素、第7族元素、第8族元素、第9族元素、第10族元素、第14族元素、第15族元素、和第16族元素；和溶剂。
申请人：株式会社理光
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京市柳沈律师事务所
更多信息请下载全文后查看
因篇幅问题不能全部显示，请点此查看更多更全内容